散射角的大小与样品的密度、面孔厚度相关，因此可以形成明暗不同的影像，影像将在放大、聚焦后在成像器件上显示出来。
（d）PtTe2/Au/CoTb异质结构的开关相图，请记其中Ic是临界开关电流。在众多新材料中，些山过渡金属二硫化碳（TMD）由于具有可调控的电导率和自旋轨道耦合等优势而备受关注。
（2）基于TMD的SOT器件通常通过物理剥落法制造，东人因此无法扩展到实际应用中。目前，面孔PtTe2在金属TMD中具有最高的室温电导率（约3.3×106Sm-1），同时PtTe2被归类为II-型Dirac半金属，可以产生具有自旋动量锁定的拓扑表面状态（TSSs）。请记（c）厚度约为5nm的典型PtTe2薄膜的HRTEM图像。
（b）在2K时，些山PtTe2薄膜的MR沿两个不同方向的磁场变化。东人表明PtTe2是低功率SOT器件和与电荷自旋互转换有关的其他应用的引人注目的材料。
面孔（d）相位脱散长度lφ的温度相关性及其用lφ∝T-γ的拟合。
根据ST-FMR测量，请记在PtTe2/Py双层中建立了由类似阻尼转矩控制的大量SOT，其中PtTe2的TSS可能起重要作用。通过第一性原理计算，些山研究团队系统分析了材料的缺陷特征以及材料高稳定性的内在原因。
东人（b）多层异质结构的截面SEM图像。面孔（f）所设计异质结构的能带排列示意图。
请记（e）在相同条件下所制备LED的重复性评估。些山（d）器件在不同偏置电压下的EQE变化。
